Ultra Wideband High-Efficiency High-Power Amplifier Design by Simplified Output Matching Technique

Engin Çağdaş*, Oğuzhan Kızılbey, Metin Yazgı

*Bu çalışma için yazışmadan sorumlu yazar

Araştırma sonucu: Dergiye katkıMakalebilirkişi

Özet

This paper presents the design of a Gallium Nitride (GaN) transistor-based ultra-wideband (UWB) high-efficiency power amplifier (PA) with 25W (44 dBm) output power operating in the 2–6 GHz frequency band. The design of the matching circuits is based on a simplified systematic approach utilizing the target impedance trajectory. The Macom CGHV1F025S model GaN transistor and Rogers RT5870 model substrate are used in the design. The experimental results show that performance of the implemented PA offers 9.8 dB power gain, 43.8 dBm output power, and power-added efficiency (PAE) between 41% and 57% in the 2–6 GHz band.

Orijinal dilİngilizce
Sayfa (başlangıç-bitiş)755-766
Sayfa sayısı12
DergiElectrica
Hacim24
Basın numarası3
DOI'lar
Yayın durumuYayınlandı - Eyl 2024

Bibliyografik not

Publisher Copyright:
© 2024 Istanbul University. All rights reserved.

Parmak izi

Ultra Wideband High-Efficiency High-Power Amplifier Design by Simplified Output Matching Technique' araştırma başlıklarına git. Birlikte benzersiz bir parmak izi oluştururlar.

Alıntı Yap