Retardation of nucleation rate for grain size enhancement by deep silicon ion implantation of low-pressure chemical vapor deposited amorphous silicon films

I. W. Wu*, A. Chiang, M. Fuse, L. Öveçoglu, T. Y. Huang

*Bu çalışma için yazışmadan sorumlu yazar

Araştırma sonucu: Dergiye katkıMakalebilirkişi

68 Atıf (Scopus)

Parmak izi

Retardation of nucleation rate for grain size enhancement by deep silicon ion implantation of low-pressure chemical vapor deposited amorphous silicon films' araştırma başlıklarına git. Birlikte benzersiz bir parmak izi oluştururlar.

Keyphrases

Material Science

Engineering