Ana gezinime geç Aramaya geç Ana içeriğe geç

Near-infrared resonant cavity enhanced silicon microsphere photodetector

  • Mohammed Sharif Murib
  • , Emre Yüce
  • , Oǧuzhan Gürlü
  • , Ali Serpengüzel*
  • *Bu çalışma için yazışmadan sorumlu yazar

Araştırma sonucu: Kitap/Rapor/Konferans Bildirisinde BölümKonferans katkısıbilirkişi

Özet

Elastic scattering intensity calculations at 90° and 0° for the transverse electric and transverse magnetic polarized light were performed at 1200nm for a 50 μm radius and 3.5 refractive index silicon microsphere. The mode spacing between morphology dependent resonances was found to be 1.76 nm. The linewidth of the morphology dependent resonances was observed to be 0.02 nm, which leads to a quality factor on the order of 104.

Orijinal dilİngilizce
Ana bilgisayar yayını başlığıPhotonic Materials, Devices, and Applications III
DOI'lar
Yayın durumuYayınlandı - 2009
EtkinlikPhotonic Materials, Devices, and Applications III - Dresden, Germany
Süre: 4 May 20096 May 2009

Yayın serisi

AdıProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Hacim7366
ISSN (Basılı)0277-786X

???event.eventtypes.event.conference???

???event.eventtypes.event.conference???Photonic Materials, Devices, and Applications III
Ülke/BölgeGermany
ŞehirDresden
Periyot4/05/096/05/09

Parmak izi

Near-infrared resonant cavity enhanced silicon microsphere photodetector' araştırma başlıklarına git. Birlikte benzersiz bir parmak izi oluştururlar.

Alıntı Yap