Influence of strain on the diffusion of Si dimers on Si(001)

E. Zoethout*, O. Gürlü, H. J.W. Zandvliet, Bene Poelsema

*Bu çalışma için yazışmadan sorumlu yazar

Araştırma sonucu: Dergiye katkıMakalebilirkişi

25 Atıf (Scopus)

Özet

The influence of lattice mismatch-induced tensile strain on the diffusion of Si dimers on Si(001) has been studied. The rate of surface diffusion of a Si dimer along the substrate dimer rows is relatively insensitive to tensile strain, whereas the rate of diffusion for a Si dimer across the substrate dimer rows is significantly enhanced. The insensitivity of the along row diffusion rate for tensile strain is attributed to the presence of a dissociative intermediate state of the ad-dimer during diffusion rather than diffusion as a solid unit.

Orijinal dilİngilizce
Sayfa (başlangıç-bitiş)247-252
Sayfa sayısı6
DergiSurface Science
Hacim452
Basın numarası1-3
DOI'lar
Yayın durumuYayınlandı - 1 May 2000
Harici olarak yayınlandıEvet

Parmak izi

Influence of strain on the diffusion of Si dimers on Si(001)' araştırma başlıklarına git. Birlikte benzersiz bir parmak izi oluştururlar.

Alıntı Yap