Comparison between direct current and sinusoidal current stressing of gate oxides and oxide/silicon interfaces in metal-oxide-silicon field-effect transistors
L. Trabzon*, O. O. Awadelkarim, J. Werking, G. Bersuker, Y. D. Chan
Araştırma sonucu: Dergiye katkı › İnceleme makalesi › bilirkişi
5Atıf (Scopus)
Parmak izi
Comparison between direct current and sinusoidal current stressing of gate oxides and oxide/silicon interfaces in metal-oxide-silicon field-effect transistors' araştırma başlıklarına git. Birlikte benzersiz bir parmak izi oluştururlar.