Experimental Determination of Gate-Oxide Breakdown of CMOS Transistors at Cryogenic Temperatures

Proje: BAP

Proje Ayrıntıları

Kısa başlıkExperimental Determination of Gate-Oxide Breakdown of CMOS Transistors at Cryogenic Temperatures
DurumSona erdi
Geçerli başlangıç/bitiş tarihi8/06/20 → 8/06/21